经曝光后，光致抗氮吹仪价格蚀剂层中一部分发生了光交联或光降解，因而使其溶解性 发生了变化。选择适当的溶剂，把光刻胶层中可溶性部分溶解掉，使不溶性部分 保留下来，这就在光刻胶层上显示出了与掩模相应的图案，或者说把掩模上的图 案复制到了光致抗蚀剂层上来。这一步就称为显影，这是从普通照相术中引用 过来的术语。显影这步的关键在于选择适当的显影液、显影温度和显影时间。 这三个因素是彼此关联，相互影响的，而且随光刻胶的种类、特性及胶层的厚度 不同应有所改变的，一般需通过条件试验摸索出来。 　　显影以后需进行漂洗，把残留在胶层表面的显影液漂洗干净。良好的漂洗 　第二讲　光刻技术和光致抗蚀剂３９９ 还能消除在显影过程中光刻胶的溶胀和形变，从而改善成像的精度。 　　６．坚膜 　　经过显影后，不溶性的光刻胶部分虽然保留了下来，但由于显影液的浸泡而 变软，甚至有些溶胀和微小变形，胶层与基材间的粘着力也降低了。因而需要在 １

８０～２００℃温度下烘烤３０ｍｉｎ左右，把渗入到胶层中的微量显影液或水分赶 走。使光刻胶层上的图形恢复原来的尺寸。并使光刻胶本身进一步热交联，提 高光刻胶本身的强度和耐腐蚀性。同时也改善光刻胶与衬底间的粘着强度。这 一步称为坚膜，也称为后烘。 　　坚膜时应注意控制合适的温度和时间。若坚膜温度太低，时间过短，则胶膜 没有烘透，膜不坚固，腐蚀时易产生脱胶现象。若坚膜温度过高，时间过长，胶膜 会因热膨胀而产生翘曲和剥落，腐蚀时亦会造成钻蚀或脱胶。坚膜最好采用缓 慢升温和自然冷却的烘烤过程。对于腐蚀时间较长的厚膜刻蚀，可在腐蚀一半 后再进行一次坚膜后再腐蚀，以提高胶膜的强度和抗蚀力。 　　７．蚀刻 　　蚀刻又称腐蚀，是光刻技术中关键的一步。前面所述各步都是为这一步做 准备，是为这一步服务的。光刻技术的目的就是要在被加工的衬底材料（如硅 片）表面刻制出指定的图案，以便进行后道加工，而这种刻制工作是通过选择性 腐蚀来进行的，利用光致抗蚀剂的抗腐蚀作用，可以保护衬底材料不受腐蚀。通 过前面述及的各步，人们已经在需刻蚀的基片表面的光致抗蚀剂层上成功地制 得了特定的图案。现在基片表面一部分区域中有光致抗蚀剂保护的，而其余部 分则是没有抗蚀剂保护的。选择某种合适的腐蚀剂，能腐蚀基片材料，但对抗蚀 剂不起作用，把经显影、坚膜后的

基片置于这种腐蚀液中，就可实现选择性的腐 蚀，把抗蚀剂层上的图案复制到基片上。这一步就称为蚀刻。 　　腐蚀的关键首先在于选择合适的腐蚀剂。腐蚀剂必须能对被蚀刻材料进行 腐蚀，但对抗蚀剂不起作用。这是最基本的必要条件，除此以外还应考虑到对设 备的腐蚀性，对操作工人的完全保护以及操作的简单易行等因素。在选定了腐 蚀剂化学配方后，还应根据刻蚀的具体要求选定合适的工艺条件，主要是刻蚀剂 的浓度，刻蚀时的温度以及刻蚀的时间。这些都是为了控制一个合适的腐蚀速 率。另外人们希望腐蚀时只在被刻蚀表面上垂直向内部纵深腐蚀，而应尽量避 免侧向腐蚀，以及向抗蚀剂胶膜保护下的部分进行钻蚀，因为侧向腐蚀和钻蚀都 将使蚀刻图形的线条变宽，精度降低。一般常用腐蚀因子Ｆ来表示腐蚀的质 量：Ｆ＝（腐蚀深度）／（侧向腐蚀宽度）。如Ｆ值大则表明腐蚀效果良好。一般Ｆ 值在０．５～２．５范围间，通常Ｆ＝１时即可用于实际生产。 　　腐蚀剂的选择因被腐蚀材料的不同而不同，例如，腐蚀硅用硝酸和氢氟酸的 混合液；腐蚀二氧化硅用氢氟酸与氟化铵的混合液；腐蚀铝用磷酸或高锰酸钾；